√ Tabel Persamaan MOSFET Lengkap dan Karakteristiknya

Tabel Persamaan MOSFET (Transistor) Lengkap adalah sumber penting bagi para insinyur dan peneliti yang terlibat dalam desain dan analisis rangkaian berbasis MOSFET.

Tabel ini menyajikan kumpulan komprehensif persamaan yang mencirikan perilaku MOSFET dalam berbagai wilayah operasinya, menyediakan dasar yang kokoh untuk memprediksi dan mengoptimalkan kinerja rangkaian.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah komponen semikonduktor penting yang banyak digunakan dalam rangkaian elektronik modern. Mereka berfungsi sebagai sakelar, penguat, dan perangkat kontrol daya, memberikan fleksibilitas dan efisiensi yang luar biasa dalam berbagai aplikasi.

Baca Cepat :

Tabel Persamaan MOSFET

Transistor MOSFET	Persamaan	Karakteristik
IRFZ44N	IRFZ46N, STP55N06, 2SK2376, BUK456-60H, STP50N06, 2SK2312, 2SK2376, BUJ102S, IRF1010A, IRF2807, IRFB3207, IRF1010E	N-Channel, Daya tinggi, Arus drain 41A, Tegangan drain-source 55V, Tegangan gate-source 20V
K2698	K2698B	N-Channel, Daya, Kapasitas switching cepat, Test avalanche 100%, Maksimum temperatur 150°C
K3878	2SK3757, 2SK3766, 2SK3767, 2SK3798, 2SK3799, 2SK3842, 2SK3843, 2SK3845, 2SK4106, 2SK3880, 2SK3940, 2SK4003, 2SK4013, 2SK4014, 2SK4017, 2SK4023, 2SK4026	N-Channel, Arus drain 9A, Switching cepat, Tegangan drain 900V, Tegangan ambang batas 4V
P55NF06	IRF2807, IRFB3207, IRFB4710, IRFZ44N, IRF1405, IRF540N, IRF3205	N-Channel, Arus drain 50A, Rds rendah 18mOhm, VGS 20V
50N06	UFZ44, FTK50N06P	N-Channel, Arus drain 50A, Switching cepat, Resistansi on-state rendah, Tegangan breakdown 60V, Vgs(th) 4V
5N60	5N60F, 5N65, 5N65K	N-Channel, Arus drain 5A, Switching cepat, Daya gate rendah, Resistansi rendah, Longsoran tinggi
SVF4N65F	2SK3757, 2SK3766, 2SK3767, 2SK3798, 2SK3799, 2SK3842, 2SK3843, 2SK3845, 2SK4106, 2SK3880, 2SK3940, 2SK4003, 2SK4013, 2SK4014, 2SK4017, 2SK4023, 2SK4026	N-Channel, VGS 10V
7N65	8N60C, 10N60C, 12N60C	N-Channel, Tegangan tinggi, Switching cepat, Pengisian gerbang rendah, Rds rendah, Longsoran tinggi
K7A65D	K2996	N-Channel, Rds rendah, Transfer cepat, VDS 650V
IRF1404	IRF2804, IRFB3004, IRFB3077, IRFB3206, IRFB3004, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB3004G, IRFB3077	N-Channel, Daya, Tegangan 55V, Arus 140A
IRF740	2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40	N-Channel, Daya, Dapat mengalihkan beban hingga 400V, Arus 10A, Vgs(th) 10V
IRF640	Y	N-Channel, Daya, Tegangan 55V, Arus 140A

Tabel persamaan MOSFET memberikan ringkasan komprehensif tentang persamaan yang digunakan untuk menganalisis dan mendesain transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) dalam berbagai wilayah operasi.

Tabel ini meliputi persamaan untuk menghitung parameter penting seperti arus drain, tegangan drain-source, transkonduktansi, dan kapasitas gerbang. Kondisi operasi dan deskripsi singkat dari setiap wilayah operasi juga disertakan.

Wilayah Linier

Di wilayah linier, MOSFET beroperasi sebagai resistor yang dikendalikan oleh tegangan gerbang. Persamaan yang relevan adalah:

Arus drain: I_D= (W/L)μC _ox(V _GS– V _th)V _DS
Tegangan drain-source: V_DS= (L/W)(V _GS– V _th)I _D
Transkonduktansi: g_m= (W/L)μC _oxV _DS
Kapasitas gerbang: C_GS= (W/L)C _ox

Wilayah Saturasi

Di wilayah saturasi, MOSFET beroperasi sebagai sakelar yang dikontrol oleh tegangan gerbang. Persamaan yang relevan adalah:

Arus drain: I_D= (W/2L)μC _ox(V _GS– V _th) ²
Tegangan drain-source: V_DS= V _GS– V _th
Transkonduktansi: g_m= (W/L)μC _ox(V _GS– V _th)
Kapasitas gerbang: C_GS= (2/3)(W/L)C _ox

Wilayah Cut-Off

Di wilayah cut-off, MOSFET tidak menghantarkan arus. Persamaan yang relevan adalah:

Arus drain: I_D= 0
Tegangan drain-source: V_DS= V _DD
Transkonduktansi: g_m= 0
Kapasitas gerbang: C_GS= (W/L)C _ox

Jenis Jenis MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah jenis transistor efek medan yang banyak digunakan dalam aplikasi elektronik modern. Ada beberapa jenis MOSFET yang berbeda, masing-masing dengan karakteristik dan aplikasi unik.

Junction Field Effect Transistor (JFET)

JFET adalah jenis MOSFET yang menggunakan sambungan PN untuk mengontrol aliran arus. JFET memiliki tiga terminal: gate, source, dan drain. Terminal gate diisolasi dari saluran oleh lapisan oksida logam, dan tegangan yang diterapkan pada gate mengontrol lebar saluran, sehingga mengatur aliran arus antara source dan drain.

Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET)

MESFET adalah jenis MOSFET yang menggunakan logam-semikonduktor Schottky junction untuk mengontrol aliran arus. MESFET memiliki tiga terminal: gate, source, dan drain. Terminal gate diisolasi dari saluran oleh lapisan logam, dan tegangan yang diterapkan pada gate mengontrol lebar saluran, sehingga mengatur aliran arus antara source dan drain.

Insulated Gate Field Effect Transistor (IGFET)

IGFET adalah jenis MOSFET yang menggunakan lapisan isolator untuk mengontrol aliran arus. IGFET memiliki empat terminal: gate, source, drain, dan body. Terminal gate diisolasi dari saluran oleh lapisan isolator, dan tegangan yang diterapkan pada gate mengontrol lebar saluran, sehingga mengatur aliran arus antara source dan drain.

IGFET adalah jenis MOSFET yang paling umum digunakan, dan juga dikenal sebagai MOSFET.

Simbol dan Struktur MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah jenis transistor yang banyak digunakan dalam rangkaian elektronik. MOSFET memiliki simbol skematik yang mewakili struktur fisik dan operasi internalnya.

Secara fisik, MOSFET terdiri dari tiga terminal: gerbang (gate), sumber (source), dan drain (drain). Struktur internal MOSFET memiliki dua daerah tipe-n (sumber dan drain) yang dipisahkan oleh daerah tipe-p (saluran). Gerbang, yang merupakan elektroda logam, diisolasi dari saluran oleh lapisan oksida logam.

Operasi MOSFET

Operasi MOSFET bergantung pada tegangan yang diterapkan pada gerbang. Ketika tegangan gerbang tinggi, medan listrik yang dihasilkan akan menarik elektron dari sumber ke saluran, menciptakan jalur konduktif antara sumber dan drain. MOSFET dikatakan dalam kondisi “on” atau “konduksi”.

Ketika tegangan gerbang rendah, medan listrik yang dihasilkan akan menolak elektron dari saluran, memutuskan jalur konduktif antara sumber dan drain. MOSFET dikatakan dalam kondisi “off” atau “non-konduksi”.